STF13N95K3 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STF13N95K3 tarafından STMicroelectronics ve IPN95R1K2P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre STF13N95K3 IPN95R1K2P7ATMA1
Marka STMicroelectronics Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 8.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 39 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.55 ohm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +150C
Paket TO-220FP SOT-223-3 (PG-SOT223)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS P7 (Super Junction)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Series — CoolMOS P7
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin