TJ60S06M3L vs TJ60S06M3LT6L1.NQ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना TJ60S06M3L द्वारा Toshiba और TJ60S06M3LT6L1.NQ द्वारा Toshiba. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | TJ60S06M3L | TJ60S06M3LT6L1.NQ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Toshiba | Toshiba |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | P-channel |
| Technology | U-MOSVI (Trench MOSFET) | Toshiba U-MOS (silicon) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -60 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 100 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA | — |
| Drain Leakage Current (IDSS) | -10 µA (max) at VDS = -40 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF (typ.) | 7760 pF |
| पैकेज | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) | DPAK+ (TO-252) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | RoHS compliant | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) | — |
| Manufacturer | Toshiba Electronic Devices & Storage | — |
| Cell Technology | Trench (enhancement mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +10 V / -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -60 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | — | 0.0112 ohm |
| FET Type | — | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (Tj) |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Toshiba product positioning) |