TJ60S06M3L vs TJ60S06M3LT6L1.NQ موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از TJ60S06M3L بذریعہ Toshiba اور TJ60S06M3LT6L1.NQ بذریعہ Toshiba. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | TJ60S06M3L | TJ60S06M3LT6L1.NQ |
|---|---|---|
| برانڈ | Toshiba | Toshiba |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-channel |
| Technology | U-MOSVI (Trench MOSFET) | Toshiba U-MOS (silicon) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -60 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 100 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA | — |
| Drain Leakage Current (IDSS) | -10 µA (max) at VDS = -40 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF (typ.) | 7760 pF |
| پیکیج | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) | DPAK+ (TO-252) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | RoHS compliant | — |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) | — |
| Manufacturer | Toshiba Electronic Devices & Storage | — |
| Cell Technology | Trench (enhancement mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +10 V / -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -60 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | — | 0.0112 ohm |
| FET Type | — | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (Tj) |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Toshiba product positioning) |