BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS87H6327FTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSR802NL6327HTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS87H6327FTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Kemasan PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C (junction) —
Kiraan Pin 3 (Gate / Drain / Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +150C
Qualification — Automotive

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga