BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSR802NL6327HTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Qualification — Automotive

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin