BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS87H6327FTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR802NL6327HTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS87H6327FTSA1 BSR802NL6327HTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
پیکیج PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
پن کی تعداد 3 (Gate / Drain / Source) 3
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Technology — OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
Qualification — Automotive

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں