BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS87H6327FTSA1 bằng Infineon và BSR802NL6327HTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSR802NL6327HTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS87H6327FTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Hộp | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Số chân | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Technology | — | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |