IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML2803TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML2030TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Kemasan Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 (SOT-23)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Aras MSL 1 MSL 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (lead-free, halogen-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
Suhu Operasi — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga