IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLML2803TRPBF מאת Infineon ו IRLML2030TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ פעיל
Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
מארז Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 (SOT-23)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
רמת MSL 1 MSL 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (lead-free, halogen-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר