IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2803TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML2030TRPBF
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Paket Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 (SOT-23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
MSL Seviyesi 1 MSL 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (lead-free, halogen-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin