NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT6AN8T0SA disebabkan oleh Nanya Technology dan NT6AN8T6WBJ1B1 disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisasi | 64M x 32 | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Kadar Data | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Gambaran Suhu Operasi | -30°C to +85°C | — |
| Kemasan | FBGA | 96-ball FBGA |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Saiz Ingatan | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Latensi CAS | — | 22 cycles |
| Suhu Operasi | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |