NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT6AN8T0SA tarafından Nanya Technology ve NT6AN8T6WBJ1B1 tarafından Nanya TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Aktif
Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT6AN8T0SA NT6AN8T6WBJ1B1
Marka Nanya Technology Nanya Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü LPDDR2 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 2Gb —
Organizasyon 64M x 32 —
Besleme Gerilimi 1.2V 1.2 V
I/O Voltage 1.2V —
Veri Hızı 1066 Mbps (533 MHz) 3200 MT/s
İşletim Sıcaklığı Aralığı -30°C to +85°C —
Paket FBGA 96-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Period 64ms at 85°C —
Burst Length 4 or 8 8 (BL8), 4 (BC4)
On-Die Termination Yes Yes (ODT)
DLL Yes —
Bellek Boyutu — 8 Gb (512M x 16)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
CAS Gecikme — 22 cycles
İşletim Sıcaklığı — 0C to +95C (TC)
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Bank Groups — 4 groups of 4 banks
Row Address — 16 bits
Column Address — 10 bits

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin