NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT6AN8T0SA توسط Nanya Technology و NT6AN8T6WBJ1B1 توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| سازمان | 64M x 32 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| نرخ داده | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| محدوده دمای کاری | -30°C to +85°C | — |
| بسته‌بندی | FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| تأخیر CAS | — | 22 cycles |
| دمای کاری | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |