NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 比較
詳細並排比較 NT6AN8T0SA 由 Nanya Technology 與 NT6AN8T6WBJ1B1 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| 組織 | 64M x 32 | — |
| 供應電壓 | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| 資料速率 | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| 工作溫度範圍 | -30°C to +85°C | — |
| 封裝 | FBGA | 96-ball FBGA |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| CAS 延遲 | — | 22 cycles |
| 工作溫度 | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |