NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT6AN8T0SA sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT6AN8T6WBJ1B1 sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisasyon | 64M x 32 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Rate ng Data | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -30°C to +85°C | — |
| Packhaging | FBGA | 96-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Latensya ng CAS | — | 22 cycles |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |