1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7136UXTSA1 tarafından Infineon ve 1EDN7136GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Çıkış Sayısı 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C —
Paket TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes (per Infineon product family convention) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin