2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL5023U2DXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL900G3XTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Çıkış Sayısı 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (high-side + low-side)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Paket PG-TSNP-12-5 TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C (typical industrial range) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Isolation Type — Junction isolation (JI), 120 V
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin