2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL900G3XTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
מספר יציאות 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (high-side + low-side)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
מארז PG-TSNP-12-5 TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C (typical industrial range) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Isolation Type — Junction isolation (JI), 120 V
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר