2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL900G3XTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL5023U2DXTMA1 توسط Infineon و 2EDL900G3XTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL900G3XTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
تعداد خروجی‌ها 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2 (high-side + low-side)
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
بسته‌بندی PG-TSNP-12-5 TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -40C to +125C (typical industrial range) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Dual-channel level-shift gate driver IC
Topology Supported — Half-bridge, high-side, low-side
Isolation Type — Junction isolation (JI), 120 V
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Drive Output Voltage Range — 4 V to 16 V
Supply Voltage (VDD/VBS) — 4 V to 16 V
Switching Device Supported — Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET
Configurable Deadtime — Yes (programmable)
Integrated Current Sense Amplifier — Yes
PWM Modes — Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet)
محدوده دمای کاری — -40 C to +125 C
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت