BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS606NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL606SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS606NH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Paket PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (Tj)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin