BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS606NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSL606SNH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS606NH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Hộp PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
Cấp MSL 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (Tj)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá