BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS606NH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSL606SNH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS606NH6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Small Signal/Power | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 60 mΩ max @ VGS=10 V | — |
| מארז | PG-SOT-89 (TO-243AA) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| Qualification | Automotive (per family page) | AEC-Q101 (Automotive) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 (per SOT-89 family standard) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Reel Quantity | 1000 pcs | — |
| Technology | — | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (Tj) |