BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BTS3118NHUMA1 tarafından Infineon ve BSL606SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BTS3118NHUMA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
Çıkış Konfigürasyonu 1:1 —
Çıkış Sayısı 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Paket PG-SOT223-4 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free plating)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin