IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUA210N10S5N024AUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUA210N10S5N024AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 CoolMOS P7 (600 V)
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Paket PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin