IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N06S409ATMA2 tarafından Infineon ve IPB081N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50N06S409ATMA2 IPB081N06L3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
Pin Sayısı — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin