IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50N06S409ATMA2 توسط Infineon و IPB081N06L3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD50N06S409ATMA2 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| تعداد پایه | 3 (2 + Tab) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 8.1 mOhm typical |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +175 C (junction) |
| تعداد پین‌ها | — | 3 |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) |
| سطح MSL | — | 1 (unlimited) |