IPD50N06S409ATMA2 vs IPB081N06L3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB081N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD50N06S409ATMA2 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 8.1 mOhm typical |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 79 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C (junction) |
| پنز کی تعداد | — | 3 |
| Pin Configuration | — | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |