IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD600N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (Tj) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Gate Eşik Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin