IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R600PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C (Tj) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
ہیلوجن فری — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں