IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R600PFD7SAUMA1 توسط Infineon و IPD600N25N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
دمای کاری -55°C to +150°C (Tj) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
ولتاژ آستانه گیت — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
بدون هالوژن — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت