IPD60R600PFD7SAUMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R600PFD7SAUMA1 מאת Infineon ו IPD600N25N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD600N25N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) 6 A (Tc) —
R_DS(on) Max 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A —
Total Gate Charge (Q_g) 8.5 nC —
Output Capacitance (C_oss) 8 pF @ 400 V —
Power Dissipation (P_D) 31 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V (typ) —
מארז PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (Tape & Reel)
טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (Tj) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant —
Reel Quantity 2500 —
Part Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
מתח סף שער — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
נטול הלוגנים — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר