IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P405ATMA2 tarafından Infineon ve IPB70N10S3L12ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90P04P405ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (Tj) —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Paket / Kas — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin