IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90P04P405ATMA2 מאת Infineon ו IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD90P04P405ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (Tj) —
מארז PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C
מארז / Case — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
נטול הלוגנים — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר