IRF2907ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF2907ZSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF1010ZPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF2907ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 170 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
Paket D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Montaj Türü Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) Improved repetitive avalanche rated
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
Total Gate Charge (Qg) — 63 nC (typ, per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin