IRF2907ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF1010ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF2907ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 170 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) Improved repetitive avalanche rated
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
Total Gate Charge (Qg) — 63 nC (typ, per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں