IRF2907ZSTRLPBF vs IRF1010ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF2907ZSTRLPBF توسط Infineon و IRF1010ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF2907ZSTRLPBF IRF1010ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 170 A —
جریان پیوسته درین (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
نوع نصب Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF = Pb-free)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) Improved repetitive avalanche rated
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 75 A (Tc=25C)
Power Dissipation (Pd) at Tc — 140 W (Tc=25C)
On-Resistance (Rds on) Max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing)
Total Gate Charge (Qg) — 63 nC (typ, per Mouser listing)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Configuration — Single MOSFET
Maximum Junction Temperature — 175 C
Qualification — JEDEC industry standard qualification
Lead Status — Lead Free
Gate Threshold Voltage (Vgs th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت