IRF4905SPBF vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905SPBF tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905SPBF | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | 136 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| Paket | D2PAK (TO-263) surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant (per Infineon product page) |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |