IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF540NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF2907ZSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF540NSTRLPBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | Tape and Reel (left orientation) |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | — | 170 A |
| Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |