IRF540NSTRLPBF vs IRF2907ZSTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF540NSTRLPBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (SMD) |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | Tape and Reel (left orientation) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 170 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |