IRF9Z34NPBF vs IRF9Z34NSTRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9Z34NPBF tarafından Infineon ve IRF9Z34NSTRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9Z34NPBF IRF9Z34NSTRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Obsolete
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Paket TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Part Number — IRF9Z34NSTRRPBF
Transistor Türü — P-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Power Dissipation (Pd) — 68 W (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 K/W (max)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Paket / Kas — D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab)
Operating Frequency — Optimized for switching below 100 kHz
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Packaging — Tape & Reel (STR suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin