IRF9Z34NPBF vs IRF9Z34NSTRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9Z34NPBF بذریعہ Infineon اور IRF9Z34NSTRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9Z34NPBF IRF9Z34NSTRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال Obsolete
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free suffix PBF)
Part Number — IRF9Z34NSTRRPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — -55 V
Power Dissipation (Pd) — 68 W (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 K/W (max)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
پیکیج / کیس — D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab)
Operating Frequency — Optimized for switching below 100 kHz
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Packaging — Tape & Reel (STR suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں