IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRS2153DSTRPBF tarafından Infineon ve IRS2153DSPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Ağ Yapısı Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Paket 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Fonksiyon — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Çıkış Sayısı — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin