IRS2153DSTRPBF vs IRS2153DSPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRS2153DSTRPBF bằng Infineon và IRS2153DSPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRS2153DSTRPBF IRS2153DSPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Cấu trúc Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
Hộp 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Chức năng — Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Số lượng đầu ra — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá