IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43QR16512B-062AABL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve H5AN8G6NDJR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marka | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| CAS Gecikme | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| Paket | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Arayüz | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Özellikler | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |