IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43QR16512B-062AABL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| زمن الوصول CAS | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| العلبة | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| الواجهة | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |