IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43QR16512B-062AABL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| CAS لیٹنسی | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| پیکیج | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| انٹرفیس | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |