IS43QR16512B-062AABL vs H5AN8G6NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43QR16512B-062AABL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و H5AN8G6NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43QR16512B-062AABL | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| تأخیر CAS | 22-22-22 | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | 19 ns | — |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| رابط | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |