K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A4G165WD-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A4G165WD-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Paket FBGA-96 96-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
Arayüz Türü DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS Durumu Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Veri Hızı — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
Arayüz — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin