K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 96-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
انٹرفیس ٹائپ DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS اسٹیٹس Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
ڈیٹا ریٹ — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
انٹرفیس — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں