K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCTD 比較

詳細並排比較 K4A4G165WD-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A4G165WD-BCTD 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 啟用中
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K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCTD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
組織 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
供應電壓 1.2 V —
封裝 FBGA-96 96-ball FBGA
安裝類型 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Generation Samsung D-die —
介面類型 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes (external RZQ resistor)
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C (commercial)
RoHS 狀態 Lead free / RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
資料速率 — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Core Supply (VPP) — 2.5 V
介面 — SSTL-12
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

資料表與資源

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